2SK2009TE85LF มอสเฟต N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

ผู้ผลิต: โตชิบา
หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต
เทคโนโลยี: si
รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT
แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-346-3
ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel
จำนวนช่องสัญญาณ: 1 ช่องสัญญาณ
Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 30 V.
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง: 200mA
Rds On - ความต้านทาน Drain-source เมื่อเปิด: 2 โอห์ม
Vgs - แรงดันไฟฟ้าเกท-ซอร์ส: - 20 V, +20 V
Vgs th - แรงดันเกท-ซอร์สเกณฑ์: 1.5 V.
อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด: -55 C.
อุณหภูมิการทำงานสูงสุด: +150 C.
Pd - การกระจายพลังงาน: 200mW
โหมดช่องสัญญาณ: Enhancement
แพ็คเกจ: Reel
แพ็คเกจ: cuttape
การห่อหุ้ม: MouseReel
เครื่องหมายการค้า: โตชิบา
การกำหนดค่า: Single
Forward transconductance - ต่ำสุด: 100 mS
ความสูง: 1.1 มม.
ความยาว: 2.9 มม.
ประเภทสินค้า: มอสเฟตs
ซีรีส์: 2SK2009
หมวดหมู่ย่อย: ทรานซิสเตอร์
ประเภททรานซิสเตอร์: 1 N-Channel
ประเภท: RF Small Signal มอสเฟต
เวลาหน่วงปิดทั่วไป: 0.12 us
เวลาหน่วงเปิดทั่วไป: 0.06 us
ความกว้าง: 1.5 มม.
น้ำหนักต่อหน่วย: 12 มก.

2SK2009.pdf