2SK2009TE85LF MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0,2A 30V 20V

Dettagli:

Luogo di origine:	GIAPPONE
Marca:	Toshiba
Numero di modello:	2SK2009TE85LF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-346-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SOT-346-3	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	MOSFET	Serie:	2SK2009
Peso unitario:	12 mg
Evidenziare:	Transistor con resistore di polarizzazione 2A , Resistore di polarizzazione smd transistor

Produttore: Toshiba
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-346-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 30 V.
Id - Corrente di drain continua: 200 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 2 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1,5 V.
Temperatura minima di esercizio: -55 C.
Temperatura massima di esercizio: +150 C.
Pd - Dissipazione di potenza: 200 mW
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Toshiba
Configurazione: Singolo
Transconduttanza diretta - minima: 100 mS
Altezza: 1,1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Serie: 2SK2009
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tipo: RF Small Signal MOSFET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 0,12 us
Tempo di ritardo di attivazione tipico: 0,06 us
Larghezza: 1,5 mm
Peso unitario: 12 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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