2SK2009TE85LF ماسفت N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

سازنده: توشیبا
دسته بندی محصول: MOSFET
فناوری: si
سبک نصب: SMD/SMT
بسته/جعبه: SOT-346-3
قطبیت ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds - ولتاژ شکست درین-سورس: 30 ولت
Id - جریان درین پیوسته: 200 میلی آمپر
Rds On - مقاومت درین-سورس روشن: 2 اهم
Vgs - ولتاژ گیت-سورس: - 20 ولت، +20 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه گیت-سورس: 1.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی: -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی: +150 درجه سانتیگراد
Pd - تلفات توان: 200 میلی وات
حالت کانال: تقویت
بسته بندی: قرقره
بسته بندی: نوار برش خورده
محفظه: MouseReel
علامت تجاری: توشیبا
پیکربندی: تک
ترانس‌کنداکتانس رو به جلو - حداقل: 100 میلی زیمنس
ارتفاع: 1.1 میلی متر
طول: 2.9 میلی متر
نوع محصول: MOSFET ها
سری: 2SK2009
زیر مجموعه: ترانزیستورها
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
نوع: RF Small Signal MOSFET
زمان تاخیر بسته شدن معمولی: 0.12 میکروثانیه
زمان تاخیر روشن شدن معمولی: 0.06 میکروثانیه
عرض: 1.5 میلی متر
وزن واحد: 12 میلی گرم

2SK2009.pdf