2SK2009TE85LF MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0,2A 30V 20V

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	JAPÃO
Marca:	Toshiba
Número do modelo:	2SK2009TE85LF

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT SOT-346-3
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	MOSFET	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SOT-346-3	Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto:	MOSFETS	Série:	2SK2009
Peso unitário:	12mg
Destacar:	Transistor de resistor de polarização 2A , Resistor de polarização smd transistor

Fabricante: Toshiba
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-346-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 30 V
Id - Corrente contínua de dreno: 200mA
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 2 Ohms
Vgs - Tensão gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-source: 1.5 V
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 200mW
Modo do canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Toshiba
Configuração: Único
Transcondutância direta - mínima: 100 mS
Altura: 1.1 mm
Comprimento: 2.9 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Série: 2SK2009
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET de sinal pequeno RF
Tempo de atraso de fechamento típico: 0.12 us
Tempo de atraso de ativação típico: 0.06 us
Largura: 1.5 mm
Peso unitário: 12 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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