FPGAs IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 Portão de campo programável

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July 18, 2025
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Descubra o MOSFET DMN2058UW-7 da Diodes Incorporated, um MOSFET de canal N de alto desempenho projetado para aplicações SMD/SMT. Com uma tensão de ruptura dreno-fonte de 20V e corrente de dreno contínua de 3,5A, este MOSFET é ideal para gerenciamento de energia eficiente. Saiba mais sobre seus recursos e especificações neste vídeo.
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