FPGAs IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 Portão de campo programável

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July 18, 2025
Breve: Descubra o MOSFET DMN2058UW-7 da Diodes Incorporated, um MOSFET de canal N de alto desempenho projetado para aplicações SMD/SMT. Com uma tensão de ruptura dreno-fonte de 20V e corrente de dreno contínua de 3,5A, este MOSFET é ideal para gerenciamento de energia eficiente. Saiba mais sobre seus recursos e especificações neste vídeo.
Recursos de Produtos Relacionados:
  • MOSFET de canal N com configuração de 1 canal para comutação de energia eficiente.
  • A tensão de ruptura dreno-fonte de 20V garante um desempenho confiável em condições de alta tensão.
  • A corrente de dreno contínua de 3,5A suporta um manuseio de potência robusto.
  • A baixa resistência dreno-fonte de 42 mOhms minimiza a perda de energia.
  • A faixa de tensão gate-source de -12V a +12V oferece opções de controle flexíveis.
  • Ampla faixa de temperatura operacional de -55°C a +150°C para aplicações versáteis.
  • Tempos de comutação rápidos com tempo de subida de 4,9 ns e tempo de descida de 3,3 ns.
  • Pacote compacto SOT-323-3 com embalagem em carretel para fácil integração em processos de montagem automatizados.
FAQ:
  • Qual é a tensão máxima dreno-fonte para o MOSFET DMN2058UW-7?
    O MOSFET DMN2058UW-7 possui uma tensão máxima de ruptura dreno-fonte de 20V, garantindo uma operação confiável em diversos circuitos.
  • Qual é a classificação de corrente de dreno contínua deste MOSFET?
    Este MOSFET pode suportar uma corrente de dreno contínua de até 3,5A, tornando-o adequado para aplicações de gerenciamento de energia.
  • Qual é a faixa de temperatura de operação para o DMN2058UW-7?
    O DMN2058UW-7 opera eficientemente em uma ampla faixa de temperatura de -55°C a +150°C, acomodando diversas condições ambientais.
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