Breve: Descubra o MOSFET DMN2058UW-7 da Diodes Incorporated, um MOSFET de canal N de alto desempenho projetado para aplicações SMD/SMT. Com uma tensão de ruptura dreno-fonte de 20V e corrente de dreno contínua de 3,5A, este MOSFET é ideal para gerenciamento de energia eficiente. Saiba mais sobre seus recursos e especificações neste vídeo.
Recursos de Produtos Relacionados:
MOSFET de canal N com configuração de 1 canal para comutação de energia eficiente.
A tensão de ruptura dreno-fonte de 20V garante um desempenho confiável em condições de alta tensão.
A corrente de dreno contínua de 3,5A suporta um manuseio de potência robusto.
A baixa resistência dreno-fonte de 42 mOhms minimiza a perda de energia.
A faixa de tensão gate-source de -12V a +12V oferece opções de controle flexíveis.
Ampla faixa de temperatura operacional de -55°C a +150°C para aplicações versáteis.
Tempos de comutação rápidos com tempo de subida de 4,9 ns e tempo de descida de 3,3 ns.
Pacote compacto SOT-323-3 com embalagem em carretel para fácil integração em processos de montagem automatizados.
FAQ:
Qual é a tensão máxima dreno-fonte para o MOSFET DMN2058UW-7?
O MOSFET DMN2058UW-7 possui uma tensão máxima de ruptura dreno-fonte de 20V, garantindo uma operação confiável em diversos circuitos.
Qual é a classificação de corrente de dreno contínua deste MOSFET?
Este MOSFET pode suportar uma corrente de dreno contínua de até 3,5A, tornando-o adequado para aplicações de gerenciamento de energia.
Qual é a faixa de temperatura de operação para o DMN2058UW-7?
O DMN2058UW-7 opera eficientemente em uma ampla faixa de temperatura de -55°C a +150°C, acomodando diversas condições ambientais.