FPGAS IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 Array di gate programmabile di campo

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July 18, 2025
Breve: Scopri il MOSFET DMN2058UW-7 di Diodes Incorporated, un MOSFET a canale N ad alte prestazioni progettato per applicazioni SMD/SMT. Con una tensione di rottura drain-source di 20V e una corrente di drain continua di 3,5A, questo MOSFET è ideale per una gestione efficiente dell'alimentazione. Scopri di più sulle sue caratteristiche e specifiche in questo video.
Funzionalità dei prodotti correlati:
  • MOSFET a canale N con configurazione a 1 canale per una commutazione di potenza efficiente.
  • La tensione di rottura drain-source di 20V garantisce prestazioni affidabili in condizioni di alta tensione.
  • La corrente di scarica continua di 3,5 A supporta una gestione della potenza robusta.
  • La bassa resistenza drain-source di 42 mOhm minimizza la perdita di potenza.
  • L'intervallo di tensione gate-source da -12V a +12V offre opzioni di controllo flessibili.
  • Ampia gamma di temperature operative da -55°C a +150°C per applicazioni versatili.
  • Tempi di commutazione rapidi con tempo di salita di 4,9 ns e tempo di discesa di 3,3 ns.
  • Pacchetto compatto SOT-323-3 con confezionamento su bobina per una facile integrazione nei processi di assemblaggio automatizzati.
FAQ:
  • Qual è la tensione massima drain-source per il MOSFET DMN2058UW-7?
    Il MOSFET DMN2058UW-7 ha una tensione di rottura drain-source massima di 20V, garantendo un funzionamento affidabile in vari circuiti.
  • Qual è la corrente di drain continua nominale di questo MOSFET?
    Questo MOSFET può gestire una corrente di drain continua fino a 3,5 A, rendendolo adatto per applicazioni di gestione dell'alimentazione.
  • Qual è l'intervallo di temperatura operativa per il DMN2058UW-7?
    Il DMN2058UW-7 funziona in modo efficiente in un ampio intervallo di temperature da -55°C a +150°C, adattandosi a diverse condizioni ambientali.
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