Kênh truyền hình Trung Quốc Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Trò chuyện Liên hệ chúng tôi
Nhà video Danh sách phát Trang mạng

FPGAS IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 Mảng cổng lập trình trường

Các video khác
July 18, 2025
Kết nối danh mục: bóng bán dẫn điện trở phân cực
Trò chuyện Liên hệ chúng tôi
Thẻ:
#Điện trở emitter của transistor #IC Transistor Điện trở #Transistor phân cực trước
Tóm tắt: Khám phá MOSFET DMN2058UW-7 từ Diodes Incorporated, một MOSFET kênh N hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng SMD/SMT. Với điện áp đánh thủng drain-source là 20V và dòng drain liên tục là 3.5A, MOSFET này lý tưởng cho việc quản lý năng lượng hiệu quả. Tìm hiểu thêm về các tính năng và thông số kỹ thuật của nó trong video này.
Tính năng sản phẩm liên quan:
  • MOSFET kênh N với cấu hình 1 Kênh để chuyển đổi nguồn hiệu quả.
  • Điện áp đánh thủng nguồn-cống 20V đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong điều kiện điện áp cao.
  • Dòng xả liên tục 3.5A hỗ trợ khả năng xử lý công suất mạnh mẽ.
  • Điện trở drain-source thấp ở mức 42 mOhms giúp giảm thiểu tổn thất điện năng.
  • Dải điện áp cổng-nguồn từ -12V đến +12V cung cấp các tùy chọn điều khiển linh hoạt.
  • Dải nhiệt độ hoạt động rộng từ -55°C đến +150°C cho các ứng dụng đa dạng.
  • Thời gian chuyển mạch nhanh với thời gian tăng 4.9 ns và thời gian giảm 3.3 ns.
  • Gói SOT-323-3 nhỏ gọn với bao bì dạng cuộn để dễ dàng tích hợp vào quy trình lắp ráp tự động.
CÂU HỎI THƯỜNG GẶP:
  • Điện áp nguồn xả tối đa của MOSFET DMN2058UW-7 là bao nhiêu?
    MOSFET DMN2058UW-7 có điện áp đánh thủng drain-source tối đa là 20V, đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong nhiều mạch khác nhau.
  • Dòng điện liên tục tối đa của MOSFET này là bao nhiêu?
    MOSFET này có thể xử lý dòng xả liên tục lên đến 3.5A, phù hợp cho các ứng dụng quản lý năng lượng.
  • Phạm vi nhiệt độ hoạt động của DMN2058UW-7 là bao nhiêu?
    DMN2058UW-7 hoạt động hiệu quả trong dải nhiệt độ rộng từ -55°C đến +150°C, đáp ứng các điều kiện môi trường đa dạng.
Các video liên quan