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FPGAs IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 フィールドプログラム可能なゲート配列

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July 18, 2025
カテゴリー接続: バイアス抵抗トランジスタ
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タグ:
#トランジスタエミッタ抵抗 #IC抵抗トランジスタ #プリバイアス・トランジスタ
概要: ダイオード・インコーポレイテッドのDMN2058UW-7 MOSFETをご紹介します。これは、SMD/SMT用途向けに設計された高性能NチャネルMOSFETです。ドレイン-ソース間耐圧20V、連続ドレイン電流3.5Aで、効率的な電力管理に最適です。このビデオで、その特徴と仕様について詳しくご覧ください。
関連製品の機能:
  • 効率的な電力スイッチングのための1チャンネル構成のNチャネルMOSFET。
  • 20Vのドレイン-ソース耐圧は、高電圧条件下での信頼性の高い性能を保証します。
  • 3.5Aの連続ドレイン電流は、堅牢な電力処理をサポートします。
  • 42 mオームの低いドレイン-ソースオン抵抗により、電力損失を最小限に抑えます。
  • -12Vから+12Vのゲートソース電圧範囲は、柔軟な制御オプションを提供します。
  • -55℃から+150℃までの広い動作温度範囲で、多様な用途に対応します。
  • 4.9 nsの立ち上がり時間と3.3 nsの立ち下がり時間による高速スイッチング時間。
  • 自動組立プロセスへの容易な統合のための、リール梱包されたコンパクトSOT-323-3パッケージ。
よくある質問:
  • DMN2058UW-7 MOSFETの最大ドレイン-ソース間電圧はいくつですか？
    DMN2058UW-7 MOSFETは、最大ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧が20Vであり、様々な回路での信頼性の高い動作を保証します。
  • このMOSFETの連続ドレイン電流定格はどれくらいですか？
    このMOSFETは、最大3.5Aの連続ドレイン電流を処理でき、電力管理用途に適しています。
  • DMN2058UW-7の動作温度範囲はどれくらいですか?
    DMN2058UW-7は、-55℃から+150℃までの広い温度範囲で効率的に動作し、多様な環境条件に対応します。
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