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FPGAs IC LCMXO2-4000HC-4BG256C LFBGA256 Feldprogrammierbares Torarray

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July 18, 2025
Kategorieverbindung: Vorspannungswiderstandstransistor
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Tags:
#Transistor-Emitter-Widerstand #IC-Widerstand-Transistor #Vorverstärkter Transistor
Kurzfassung: Entdecken Sie den DMN2058UW-7 MOSFET von Diodes Incorporated, einen Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für SMD/SMT-Anwendungen konzipiert wurde. Mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 20V und einem Dauer-Drain-Strom von 3,5A ist dieser MOSFET ideal für effizientes Energiemanagement. Erfahren Sie mehr über seine Funktionen und Spezifikationen in diesem Video.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • N-Kanal MOSFET mit 1 Kanal Konfiguration für effizientes Leistungsschalten.
  • Die Drain-Source-Durchbruchspannung von 20 V gewährleistet zuverlässige Leistung unter Hochspannungsbedingungen.
  • Dauer-Drain-Strom von 3,5 A unterstützt robustes Leistungsmanagement.
  • Geringer Drain-Source-Widerstand von 42 mOhm minimiert Leistungsverluste.
  • Der Gate-Source-Spannungsbereich von -12 V bis +12 V bietet flexible Steuerungsmöglichkeiten.
  • Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C für vielseitige Anwendungen.
  • Schnelle Schaltzeiten mit einer Anstiegszeit von 4,9 ns und einer Abfallzeit von 3,3 ns.
  • Kompaktes SOT-323-3-Gehäuse mit Reel-Verpackung für eine einfache Integration in automatisierte Montageprozesse.
FAQ:
  • Was ist die maximale Drain-Source-Spannung für den DMN2058UW-7 MOSFET?
    Der DMN2058UW-7 MOSFET hat eine maximale Drain-Source-Durchbruchspannung von 20 V, was einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Schaltungen gewährleistet.
  • Wie hoch ist der Dauerstrom-Nennwert dieses MOSFETs?
    Dieser MOSFET kann einen kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 3,5 A verarbeiten, was ihn für Energiemanagementanwendungen geeignet macht.
  • Was ist der Betriebstemperaturbereich für den DMN2058UW-7?
    Der DMN2058UW-7 arbeitet effizient in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und eignet sich somit für unterschiedliche Umgebungsbedingungen.
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