2SK2009TE85LF MOSFET N-Καν Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

Κατασκευαστής: Toshiba
Κατηγορία προϊόντος: MOSFET
Τεχνολογία: si
Στυλ εγκατάστασης: SMD/SMT
Πακέτο/κουτί: SOT-346-3
Πολικότητα τρανζίστορ: N-Channel
Αριθμός καναλιών: 1 Channel
Vds - Τάση διακοπής αποστράγγισης-πηγής: 30 V.
Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 200mA
Rds On - Αντίσταση αποστράγγισης-πηγής: 2 Ohms
Vgs - Τάση πύλης-πηγής: -20 V, +20 V
Vgs th - Τάση κατωφλίου πύλης-πηγής: 1.5 v.
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150 C.
Pd - Απώλεια ισχύος: 200mw
Λειτουργία καναλιού: Enhancement
Συσκευασία: Reel
Συσκευασία: cuttape
Ενθυλάκωση: MouseReel
Εμπορικό σήμα: Toshiba
Διάταξη: Single
Forward transconductance - ελάχιστο: 100 mS
Ύψος: 1.1 mm
Μήκος: 2.9 mm
Τύπος προϊόντος: MOSFETs
Σειρά: 2SK2009
Υποκατηγορία: Τρανζίστορ
Τύπος τρανζίστορ: 1 N-Channel
Τύπος: RF Small Signal MOSFET
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης κλεισίματος: 0.12 us
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 0.06 us
Πλάτος: 1.5 mm
Βάρος μονάδας: 12 mg

2SK2009.pdf