2SK2009TE85LF MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	JAPON
Nom de marque:	Toshiba
Numéro de modèle:	2SK2009TE85LF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-346-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor MOSFET	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	Le code de conduite est le code SOT-346-3.	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	Mosfets	Série:	2SK2009
Poids unitaire:	12mg
Mettre en évidence:	Transistor de résistance de polarisation 2A , Résistance de polarisation SMD pour transistor

Fabricant : Toshiba
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : CMS/SMT
Boîtier/emballage : SOT-346-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 200 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 2 Ohms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,5 V
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 200 mW
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe sur bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Toshiba
Configuration : Simple
Transconductance directe - minimum : 100 mS
Hauteur : 1,1 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : MOSFET
Série : 2SK2009
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal N
Type : MOSFET petit signal RF
Temps de retard de fermeture typique : 0,12 µs
Temps de retard d'activation typique : 0,06 µs
Largeur : 1,5 mm
Poids unitaire : 12 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

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