2SK2009TE85LF MOSFET N-канальный малосигнальный полевой транзистор Id 0.2A 30V 20V

Производитель: Toshiba
Категория продукта: MOSFET
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SOT-346-3
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id - непрерывный ток стока: 200 мА
Rds(on) - сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 2 Ом
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Vgs(th) - пороговое напряжение затвор-исток: 1.5 В
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Максимальная рабочая температура: +150 °C
Pd - рассеиваемая мощность: 200 мВт
Режим работы канала: Обогащение
Упаковка: Катушка
Упаковка: Отрезок ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: Toshiba
Конфигурация: Одиночный
Прямая проводимость (минимум): 100 мСм
Высота: 1.1 мм
Длина: 2.9 мм
Тип продукта: MOSFET
Серия: 2SK2009
Подкатегория: Транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канальный
Тип: ВЧ малосигнальный MOSFET
Типичное время задержки выключения: 0.12 мкс
Типичное время задержки включения: 0.06 мкс
Ширина: 1.5 мм
Вес единицы: 12 мг

2SK2009.pdf