2SK2009TE85LF MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

Datos del producto:

Lugar de origen:	JAPÓN
Nombre de la marca:	Toshiba
Número de modelo:	2SK2009TE85LF

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado:	SMD/SMT SOT-346-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

Contacto Ahora Charle

Descripción detallada del producto

Producto:	MOSFET	Estilo de instalación:	SMD/SMT
Paquete/caja:	Se trata de un artículo de la legislación de la Unión Europea.	Encapsulación:	Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto:	Mosfets	Serie:	2SK2009
Peso unitario:	12 mg
Resaltar:	Transistor de resistencia de polarización de 2A , Resistor de polarización SMD para transistor

Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-346-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 30 V
Id - Corriente continua de drenaje: 200 mA
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 2 ohmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1,5 V
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
Pd - Disipación de potencia: 200 mW
Modo de canal: Mejora
Paquete: Bobina
Paquete: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Toshiba
Configuración: Simple
Transconductancia directa - mínima: 100 mS
Altura: 1,1 mm
Longitud: 2,9 mm
Tipo de producto: MOSFET
Serie: 2SK2009
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tipo: MOSFET de señal pequeña RF
Tiempo de retardo de cierre típico: 0,12 us
Tiempo de retardo de encendido típico: 0,06 us
Ancho: 1,5 mm
Peso unitario: 12 mg

etiqueta:

Persona de Contacto: Hefengxin

Teléfono: +8613652326683

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