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2SK2009TE85LF MOSFET Nチャネル Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

2SK2009TE85LF MOSFET Nチャネル Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

商品の詳細:
起源の場所: 日本
ブランド名: Toshiba
モデル番号: 2SK2009TE85LF
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT SOT-346-3
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: SOT-346-3 カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール
製品タイプ: モスフェット シリーズ: 2SK2009
単重: 12mg
ハイライト:

2Aバイアス抵抗トランジスタ

,

SMDバイアス抵抗トランジスタ

メーカー:東芝
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー:Si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:SOT-346-3
トランジスタ極性:Nチャネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧:30 V
Id - 連続ドレイン電流:200mA
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗:2 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧:1.5 V
最小動作温度:-55 C
最大動作温度:+150 C
Pd - 消費電力:200mW
チャンネルモード:エンハンスメント
パッケージ:リール
パッケージ:カットテープ
梱包:マウスリール
商標:東芝
構成:シングル
順方向トランスコンダクタンス - 最小:100 mS
高さ:1.1 mm
長さ:2.9 mm
製品タイプ:MOSFET
シリーズ:2SK2009
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ:1 Nチャネル
タイプ:RF小信号MOSFET
標準的なターンオフ遅延時間:0.12 us
標準的なターンオン遅延時間:0.06 us
幅:1.5 mm
単位重量:12 mg

2SK2009.pdf

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