ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ไอซีวงจรรวม (201)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)

ยืนยันแผ่นหนา (29)

ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)

ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)

ไดโอด สกปรก Rectifier (103)

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)

อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)

ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)

ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)

C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: TDK หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 47 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 10 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-in: 0805 รหัสตัวถัง-mm: 2012 ชนิดการสิ้นสุ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:27:44

C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: TDK หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 47 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 25 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ค่าความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-in: 1206 รหัสตัวถัง-mm: 3216 ชนิดการสิ้... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:30:02

HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 220 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6 kVDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง: 1812 ประเภทการสิ้นสุด: SMD/SMT ขั้วต่... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:32:58

VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 680 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-in: 0805 รหัสตัวถัง-mm: 2012 ประ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:37:37

VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 100 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1206 รหัสตัวถัง-มม.: 3216 ป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:37:24

HV1825Y102KXVATHV ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC SMD 1.0nf 4000 โวลต์ 10% X7R แรงดันไฟฟ้าสูง
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1000 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 4 kVDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก-นิ้ว: 1825 (กลับด้าน) รหัสเปลือก-มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:45:53

VJ0805A270JXACW1BC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC SMD/SMT0805 27 Pf 50 โวลต์ C0G 5%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 27 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0805 รหัสตัวถัง-มม.: 2012 ประเภ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:50:20

VJ1206Y102KXEAC ตัวเก็บประจุ Mlcc Smd 1206 1000 PF 500 โวลต์ X7R 10%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1000 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 500 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1206 รหัสตัวถัง-มม.: 3216 ประเ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:52:26

VJ0603A331JXBAC ตัวเก็บประจุแบบชิปหลายชั้น 330 PF 100 โวลต์ C0G 0.05
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 330 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัวถัง-มม.: 1608 ประ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:54:29

VJ0805A100JXACW1BC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC SMD/SMT0805 10 Pf 50 โวลต์ C0G 5%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 10 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0805 รหัสตัวถัง-มม.: 2012 ปร... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-05 15:57:27

Page 1 of 84|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|