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SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

商品の詳細:
起源の場所: 米国
ブランド名: Vishay
モデル番号: 試験試験試験試験試験試験
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT SOT-23-3
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET パッケージ/ボックス: SOT-23-3
インストールスタイル: SMD/SMT カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール
製品タイプ: モスフェット 単重: 8 mg
シリーズ: 1 Pチャネル
ハイライト:

小型ダイオードショットキー整流器、高効率ダイオードショットキー整流器、

,

high efficiency Diode Schottky Rectifier

メーカー:Vishay
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー:si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:SOT-23-3
トランジスタ極性:Pチャネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧:20 V
Id - 連続ドレイン電流:6 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗:39 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:-8 V、+8 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧:1 V
Qg - ゲート電荷:9 nC
最小動作温度:-55 C
最大動作温度:+150 C
Pd - 消費電力:2.5 W
チャンネルモード:エンハンスメント
商標名:TrenchFET
パッケージ:リール
パッケージ:カットテープ
梱包:MouseReel
商標:Vishay Semiconductors
構成:シングル
降下時間:12 ns
高さ:1.45 mm
長さ:2.9 mm
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:23 ns
シリーズ:SI2
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ:1 Pチャネル
標準的なオフ遅延時間:40 ns
標準的なターンオン遅延時間:15 ns
幅:1.6 mm
部品番号エイリアス:SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
単位重量:8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf

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