Công ty TNHH Công nghệ Hefengxin Thâm Quyến
 |
| Nguồn gốc: | Hoa Kỳ |
| Hàng hiệu: | Vishay |
| Số mô hình: | SI2323CDS-T1-GE3 |
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
|---|---|
| Giá bán: | USD 0.01-20/piece |
| chi tiết đóng gói: | SMD/SMT SOT-23-3 |
| Thời gian giao hàng: | 5-8 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
| Sản phẩm: | MOSFET | Gói/hộp: | SOT-23-3 |
|---|---|---|---|
| Kiểu cài đặt: | SMD/SMT | đóng gói: | Cuộn, Cắt băng, Cuộn chuột |
| Loại sản phẩm: | MOSFETS | Trọng lượng đơn vị: | 8 mg |
| Loạt: | 1 kênh P | ||
| Làm nổi bật: | Điốt Schottky chỉnh lưu nhỏ,Điốt Schottky chỉnh lưu hiệu suất cao |
||
Nhà sản xuất: Vishay
Loại sản phẩm: MOSFET
Công nghệ: si
Kiểu lắp: SMD/SMT
Gói/Vỏ: SOT-23-3
Phân cực transistor: kênh p
Số kênh: 1 Kênh
Vds - Điện áp đánh thủng drain-source: 20 V
Id - Dòng drain liên tục: 6 A
Rds On - Điện trở drain-source khi mở: 39 mOhms
Vgs - Điện áp gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng gate-source: 1 V
Qg - Điện tích cổng: 9 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: +150 C
Pd - Tản điện: 2.5 W
Chế độ kênh: Tăng cường
Tên thương mại: TrenchFET
Gói: Reel (Cuộn)
Gói: cuttape (Cắt băng)
Đóng gói: MouseReel
Thương hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Đơn
Thời gian trễ tắt: 12 ns
Chiều cao: 1.45 mm
Chiều dài: 2.9 mm
Loại sản phẩm: MOSFET
Thời gian tăng: 23 ns
Dòng: SI2
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 Kênh P
Thời gian trễ đóng điển hình: 40 ns
Thời gian trễ bật điển hình: 15 ns
Chiều rộng: 1.6 mm
Biệt danh mã sản phẩm: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Khối lượng tịnh: 8 mg
Người liên hệ: Hefengxin
Tel: +8613652326683
