SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 6 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 39 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg - Gate-Ladung: 9 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 2,5 W
Kanalmodus: Anreicherung
Markenname: TrenchFET
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenzeichen: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 12 ns
Höhe: 1,45 mm
Länge: 2,9 mm
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 23 ns
Serie: SI2
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Breite: 1,6 mm
Teilenummer-Alias: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Einheitsgewicht: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf