SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Producent: Vishay
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Obudowa/opakowanie: SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora: p-kanałowy
Liczba kanałów: 1 Kanał
Vds - napięcie przebicia dren-źródło: 20 V
Id - ciągły prąd drenu: 6 A
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 39 mOhm
Vgs - napięcie bramka-źródło: -8 V, +8 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 1 V
Qg - ładunek bramki: 9 nC
Minimalna temperatura pracy: -55 C
Maksymalna temperatura pracy: +150 C
Pd - rozpraszanie mocy: 2.5 W
Tryb kanału: Wzmocnienie
Nazwa handlowa: TrenchFET
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Kapsułkowanie: MouseReel
Znak towarowy: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas narastania: 12 ns
Wysokość: 1.45 mm
Długość: 2.9 mm
Typ produktu: MOSFETy
Czas opadania: 23 ns
Seria: SI2
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 1 P-kanałowy
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 15 ns
Szerokość: 1.6 mm
Inne numery katalogowe: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Waga jednostkowa: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf