SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

নির্মাতা: বিশে
পণ্য বিভাগ: মস্ফেট
প্রযুক্তি: সি
ইনস্টলেশন শৈলী: এসএমডি/এসএমটি
প্যাকেজ/বাক্স: এসওটি-২৩-৩
ট্রানজিস্টর পোলারিটি: পি-চ্যানেল
চ্যানেলের সংখ্যা: ১ চ্যানেল
ভিডিএস- ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: ২০ V
আইডি- অবিচ্ছিন্ন ড্রেইন কারেন্ট: ৬ A
আরডিএস অন- ড্রেইন-সোর্স অন প্রতিরোধ: ৩৯ mOhms
ভিজিএস-গেট-সোর্স ভোল্টেজ: - ৮ V, +৮ V
ভিজিএস থ- গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: ১ V
কিউজি- গেট চার্জ: ৯ nC
সর্বনিম্ন অপারেটিং তাপমাত্রা: -৫৫ C
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: +১৫০ C
পিড- পাওয়ার ডিসিপেশন: ২.৫ W
চ্যানেল মোড: এনহ্যান্সমেন্ট
ট্রেড নাম: ট্রেন্সফেট
প্যাকেজ: রিল
প্যাকেজ: কাটটেপ
এনক্যাপসুলেশন: মাউস রিল
ট্রেডমার্ক: বিশে সেমিকন্ডাক্টরস
কনফিগারেশন: একক
অবনমন সময়: ১২ ns
উচ্চতা: ১.৪৫ মিমি
দৈর্ঘ্য: ২.৯ মিমি
পণ্যের প্রকার: মস্ফেট
রাইজ টাইম: ২৩ ns
সিরিজ: SI2
সাব-ক্যাটাগরি: ট্রানজিস্টর
ট্রানজিস্টরের প্রকার: ১ পি-চ্যানেল
সাধারণ ক্লোজিং বিলম্ব সময়: ৪০ ns
সাধারণ টার্ন-অন বিলম্ব সময়: ১৫ ns
প্রস্থ: ১.৬ মিমি
পার্ট নম্বর alias: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
ইউনিট ওজন: ৮ mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf