SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Κατασκευαστής: Vishay
Κατηγορία προϊόντος: MOSFET
Τεχνολογία: si
Στυλ εγκατάστασης: SMD/SMT
Πακέτο/κουτί: SOT-23-3
Πολικότητα τρανζίστορ: p-channel
Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - τάση διάσπασης αποστράγγισης-πηγής: 20 V
Id - συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 6 A
Rds On - αντίσταση αποστράγγισης-πηγής: 39 mOhms
Vgs - τάση πύλης-πηγής: -8 V, +8 V
Vgs th - τάση κατωφλίου πύλης-πηγής: 1 V
Qg - φόρτιση πύλης: 9 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150 C
Pd - απαγωγή ισχύος: 2.5 W
Λειτουργία καναλιού: Ενίσχυση
Εμπορική ονομασία: TrenchFET
Συσκευασία: Τροχός
Συσκευασία: κορδέλα κοπής
Ενθυλάκωση: MouseReel
Εμπορικό σήμα: Vishay Semiconductors
Διάταξη: Μονό
Χρόνος καθόδου: 12 ns
Ύψος: 1.45 mm
Μήκος: 2.9 mm
Τύπος προϊόντος: MOSFETs
Χρόνος ανόδου: 23 ns
Σειρά: SI2
Υποκατηγορία: Τρανζίστορ
Τύπος τρανζίστορ: 1 P-Channel
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης κλεισίματος: 40 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 15 ns
Πλάτος: 1.6 mm
Εναλλακτικό μέρος αριθμού: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Βάρος μονάδας: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf