SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 20 V
Id - Corriente continua de drenaje: 6 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 39 mOhmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 9 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 2.5 W
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: TrenchFET
Paquete: Bobina
Paquete: Cinta cortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Vishay Semiconductors
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 12 ns
Altura: 1.45 mm
Longitud: 2.9 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 23 ns
Serie: SI2
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal P
Tiempo de retardo de cierre típico: 40 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 15 ns
Ancho: 1.6 mm
Alias del número de pieza: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf