SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 6 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 39 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -8 V, +8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 9 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 2,5 W
Mode de canal : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Vishay Semiconductors
Configuration : Simple
Temps de descente : 12 ns
Hauteur : 1,45 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 23 ns
Série : SI2
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 Canal P
Temps de retard de fermeture typique : 40 ns
Temps de retard d'activation typique : 15 ns
Largeur : 1,6 mm
Alias de numéro de pièce : SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Poids unitaire : 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf