SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	Vishay
Numero di modello:	SI2323CDS-T1-GE3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Pacchetto/scatola:	SOT-23-3
Stile di installazione:	SMD/SMT	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	MOSFET	Peso unitario:	8 mg
Serie:	1 canale P
Evidenziare:	Diodo Schottky raddrizzatore piccolo , Diodo Schottky raddrizzatore ad alta efficienza

Produttore: Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 6 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 39 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V
Qg - Carica del gate: 9 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 2,5 W
Modalità canale: Enhancement
Marchio commerciale: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Vishay Semiconductors
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 12 ns
Altezza: 1,45 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 23 ns
Serie: SI2
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 40 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 15 ns
Larghezza: 1,6 mm
Alias numero parte: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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