SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Fabrikant: Vishay
Productcategorie: MOSFET
Technologie: si
Installatiestijl: SMD/SMT
Verpakking/doos: SOT-23-3
Transistor polariteit: p-kanaal
Aantal kanalen: 1 kanaal
Vds - drain-source doorslagspanning: 20 V
Id - continue drainstroom: 6 A
Rds On - drain-source aan-weerstand: 39 mOhm
Vgs - gate-source spanning: -8 V, +8 V
Vgs th - gate-source drempelspanning: 1 V
Qg - gate lading: 9 nC
Minimum bedrijfstemperatuur: -55 C
Maximum bedrijfstemperatuur: +150 C
Pd - vermogensdissipatie: 2,5 W
Kanaalmodus: Enhancement
Handelsmerk: TrenchFET
Verpakking: Reel
Verpakking: cuttape
Omkapseling: MouseReel
Handelsmerk: Vishay Semiconductors
Configuratie: Enkel
Daaltijd: 12 ns
Hoogte: 1,45 mm
Lengte: 2,9 mm
Producttype: MOSFET's
Stijgtijd: 23 ns
Serie: SI2
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 P-kanaal
Typische sluitvertragingstijd: 40 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 15 ns
Breedte: 1,6 mm
Onderdeelnummer alias: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Eenheidsgewicht: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf