SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: canal p
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V
Id - corrente contínua de dreno: 6 A
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 39 mOhms
Vgs - tensão gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - tensão de limiar gate-source: 1 V
Qg - carga da comporta: 9 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 2,5 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca comercial: TrenchFET
Embalagem: Carretel
Embalagem: fita cortada
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Vishay Semiconductors
Configuração: Único
Tempo de descida: 12 ns
Altura: 1,45 mm
Comprimento: 2,9 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 23 ns
Série: SI2
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal P
Tempo típico de atraso de fechamento: 40 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 15 ns
Largura: 1,6 mm
Alias ​​do número da peça: SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Peso unitário: 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf