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BSS670S2L H6327 MOSFET Nチャネル 55V 540mA SOT-23-3

BSS670S2L H6327 MOSFET Nチャネル 55V 540mA SOT-23-3

商品の詳細:
起源の場所: ドイツ
ブランド名: Infineon
モデル番号: BSS670S2L H6327
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT SOT-23-3
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET インストールスタイル: SMD/SMT
ポラール: nチャネル パッケージ/ボックス: SOT-23-3
製品タイプ: モスフェット カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール
シリーズ: BSS670S2 単重: 8 mg
ハイライト:

SMDバイアス抵抗トランジスタ

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SMTバイアス抵抗トランジスタ

メーカー:Infineon
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー:si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/箱:SOT-23-3
トランジスタ極性:Nチャネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧:55 V
Id-連続ドレイン電流:540 mA
Rds On-ドレイン-ソース間オン抵抗:346 mOhms
Vgs-ゲート-ソース間電圧:-20 V、+20 V
Vgs th-ゲート-ソース間スレッショルド電圧:1.2 V
Qg-ゲート電荷:1.7 nC
最小動作温度:-55 C
最大動作温度:+150 C
Pd-消費電力:360 mW
チャンネルモード:エンハンスメント
認定:AEC-Q100
パッケージ:リール
パッケージ:カットテープ
エンキャプシュレーション:MouseReel
商標:Infineon Technologies
構成:シングル
降下時間:24 ns
順方向トランスコンダクタンス-最小:600 mS
高さ:1.1 mm
長さ:2.9 mm
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:25 ns
シリーズ:BSS670S2
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ:1 Nチャネル
標準的なオフ遅延時間:21 ns
標準的なターンオン遅延時間:9 ns
幅:1.3 mm
部品番号エイリアス:sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
単位重量:8 mg

BSS670S2L H6327.pdf

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