BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Allemagne
Nom de marque:	Infineon
Numéro de modèle:	BSS670S2L H6327

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor MOSFET	Style d'installation:	SMD / SMT
Les espèces d'oiseaux:	Channel n	Package / boîte:	SOT-23-3
Type de produit:	Mosfets	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Série:	BSS670S2	Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	Résistance de polarisation SMD pour transistor , Résistance de polarisation SMT pour transistor

Fabricant: Infineon
Catégorie de produit: MOSFET
Technologie: Si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/Emballage: SOT-23-3
Polarité du transistor: Canal N
Nombre de canaux: 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source: 55 V
Id - Courant de drain continu: 540 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant: 346 mOhms
Vgs - Tension grille-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source: 1,2 V
Qg - Charge de grille: 1,7 nC
Température minimale de fonctionnement: -55 °C
Température maximale de fonctionnement: +150 °C
Pd - Dissipation de puissance: 360 mW
Mode de canal: Amélioration
Qualification: AEC-Q100
Conditionnement: Bobine
Conditionnement: Coupe
Encapsulation: MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Simple
Temps de descente: 24 ns
Transconductance directe - min: 600 mS
Hauteur: 1,1 mm
Longueur: 2,9 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 25 ns
Série: BSS670S2
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 Canal N
Temps de retard de fermeture typique: 21 ns
Temps de retard d'activation typique: 9 ns
Largeur: 1,3 mm
Alias de numéro de pièce: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Poids unitaire: 8 mg

Produit Tag:

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