BSS670S2L H6327 MOSFET N-Kanal 55V 540mA SOT-23-3

Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 540 mA
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 346 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1,2 V
Qg - Gate-Ladung: 1,7 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 360 mW
Kanalmodus: Anreicherung
Qualifizierung: AEC-Q100
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Infineon Technologies
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 24 ns
Vorwärtstranskonduktanz - min: 600 mS
Höhe: 1,1 mm
Länge: 2,9 mm
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 25 ns
Serie: BSS670S2
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Breite: 1,3 mm
Teilenummer-Alias: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Einheitsgewicht: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf