| 원래 장소: | 독일 |
| 브랜드 이름: | Infineon |
| 모델 번호: | BSS670S2L H6327 |
| 최소 주문 수량: | 1 |
|---|---|
| 가격: | USD 0.01-20/piece |
| 포장 세부 사항: | SMD/SMT SOT-23-3 |
| 배달 시간: | 5-8 근무일 |
| 지불 조건: | 티/티 |
| 제품: | MOSFET | 설치 스타일: | smd/smt |
|---|---|---|---|
| 북극: | n 채널 | 패키지/상자: | SOT-23-3 |
| 제품 유형: | MOSFETS | 캡슐화: | 릴, 컷 테이프, 마우스릴 |
| 시리즈: | BSS670S2 | 단위 중량: | 8 마그네슘 |
| 강조하다: | SMD 바이어스 저항 트랜지스터,SMT 바이어스 저항 트랜지스터 |
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제조사: Infineon
제품 카테고리: MOSFET
기술: si
설치 스타일: SMD/SMT
패키지/상자: SOT-23-3
트랜지스터 극성: N 채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 55 V
Id - 연속 드레인 전류: 540 mA
Rds On - 드레인-소스 온 저항: 346 mOhms
Vgs - 게이트-소스 전압: - 20 V, +20 V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 1.2 V
Qg - 게이트 전하: 1.7 nC
최소 작동 온도: -55 C
최대 작동 온도: +150 C
Pd - 전력 소모: 360 mW
채널 모드: 향상
자격: AEC-Q100
패키지: 릴
패키지: 컷테이프
캡슐화: MouseReel
상표: Infineon Technologies
구성: 단일
하강 시간: 24 ns
순방향 상호 컨덕턴스 - 최소: 600 mS
높이: 1.1 mm
길이: 2.9 mm
제품 유형: MOSFET
상승 시간: 25 ns
시리즈: BSS670S2
하위 카테고리: 트랜지스터
트랜지스터 유형: 1 N 채널
일반적인 닫힘 지연 시간: 21 ns
일반적인 턴온 지연 시간: 9 ns
너비: 1.3 mm
부품 번호 별칭: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
단위 중량: 8 mg
담당자: Hefengxin
전화 번호: +8613652326683