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제품 소개바이어스 저항 트랜지스터

BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

제품 상세 정보:
원래 장소: 독일
브랜드 이름: Infineon
모델 번호: BSS670S2L H6327
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: USD 0.01-20/piece
포장 세부 사항: SMD/SMT SOT-23-3
배달 시간: 5-8 근무일
지불 조건: 티/티
접촉 지금 챗팅하세요
상세 제품 설명
제품: MOSFET 설치 스타일: smd/smt
북극: n 채널 패키지/상자: SOT-23-3
제품 유형: MOSFETS 캡슐화: 릴, 컷 테이프, 마우스릴
시리즈: BSS670S2 단위 중량: 8 마그네슘
강조하다:

SMD 바이어스 저항 트랜지스터

,

SMT 바이어스 저항 트랜지스터

제조사: Infineon
제품 카테고리: MOSFET
기술: si
설치 스타일: SMD/SMT
패키지/상자: SOT-23-3
트랜지스터 극성: N 채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 55 V
Id - 연속 드레인 전류: 540 mA
Rds On - 드레인-소스 온 저항: 346 mOhms
Vgs - 게이트-소스 전압: - 20 V, +20 V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 1.2 V
Qg - 게이트 전하: 1.7 nC
최소 작동 온도: -55 C
최대 작동 온도: +150 C
Pd - 전력 소모: 360 mW
채널 모드: 향상
자격: AEC-Q100
패키지: 릴
패키지: 컷테이프
캡슐화: MouseReel
상표: Infineon Technologies
구성: 단일
하강 시간: 24 ns
순방향 상호 컨덕턴스 - 최소: 600 mS
높이: 1.1 mm
길이: 2.9 mm
제품 유형: MOSFET
상승 시간: 25 ns
시리즈: BSS670S2
하위 카테고리: 트랜지스터
트랜지스터 유형: 1 N 채널
일반적인 닫힘 지연 시간: 21 ns
일반적인 턴온 지연 시간: 9 ns
너비: 1.3 mm
부품 번호 별칭: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
단위 중량: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf

연락처 세부 사항
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담당자: Hefengxin

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