BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Fabrikant: Infineon
Productcategorie: MOSFET
Technologie: si
Installatiestijl: SMD/SMT
Verpakking/doos: SOT-23-3
Transistor polariteit: N-kanaal
Aantal kanalen: 1 kanaal
Vds - drain-source doorslagspanning: 55 V
Id - continue drainstroom: 540 mA
Rds On - drain-source weerstand in ingeschakelde toestand: 346 mOhm
Vgs - gate-source spanning: -20 V, +20 V
Vgs th - gate-source drempelspanning: 1,2 V
Qg - gate lading: 1,7 nC
Minimum bedrijfstemperatuur: -55 C
Maximum bedrijfstemperatuur: +150 C
Pd - vermogensdissipatie: 360 mW
Kanaalmodus: Enhancement
Kwalificatie: AEC-Q100
Verpakking: Reel
Verpakking: cuttape
Omkapseling: MouseReel
Handelsmerk: Infineon Technologies
Configuratie: Single
Daaltijd: 24 ns
Forward transconductantie - min: 600 mS
Hoogte: 1,1 mm
Lengte: 2,9 mm
Producttype: MOSFET's
Stijgtijd: 25 ns
Serie: BSS670S2
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 N-kanaal
Typische sluitvertragingstijd: 21 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 9 ns
Breedte: 1,3 mm
Alternatieve onderdeelnummer: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Gewicht per eenheid: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf