BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Pabrikan: Infineon
Kategori produk: MOSFET
Teknologi: si
Gaya pemasangan: SMD/SMT
Paket/kotak: SOT-23-3
Polaritas transistor: N-Channel
Jumlah saluran: 1 Saluran
Vds- tegangan tembus drain-source: 55 V
Id- arus drain kontinu: 540 mA
Rds On- resistansi on drain-source: 346 mOhms
Vgs-tegangan gate-source: - 20 V, +20 V
Vgs th- tegangan ambang gate-source: 1.2 V
Qg- muatan gerbang: 1.7 nC
Suhu operasi minimum: -55 C
Suhu operasi maksimum: +150 C
Pd- disipasi daya: 360 mW
Mode saluran: Peningkatan
Kualifikasi: AEC-Q100
Paket: Gulungan
Paket: cuttape
Enkapsulasi: MouseReel
Merek dagang: Infineon Technologies
Konfigurasi: Tunggal
Waktu turun: 24 ns
Transkonduktansi maju-min: 600 mS
Tinggi: 1.1 mm
Panjang: 2.9 mm
Jenis produk: MOSFET
Waktu naik: 25 ns
Seri: BSS670S2
Subkategori: Transistor
Jenis transistor: 1 N-Channel
Waktu tunda penutupan tipikal: 21 ns
Waktu tunda penyalaan tipikal: 9 ns
Lebar: 1.3 mm
Alias nomor komponen: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Berat satuan: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf