BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 55 V
Id - corrente contínua de dreno: 540 mA
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 346 mOhms
Vgs - tensão gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - tensão de limiar gate-source: 1,2 V
Qg - carga de gate: 1,7 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 360 mW
Modo de canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q100
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de descida: 24 ns
Transcondutância direta - min: 600 mS
Altura: 1,1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 25 ns
Série: BSS670S2
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tempo de atraso de fechamento típico: 21 ns
Tempo de atraso de ativação típico: 9 ns
Largura: 1,3 mm
Alias ​​do número da peça: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Peso unitário: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf