BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Dettagli:

Luogo di origine:	Germania
Marca:	Infineon
Numero di modello:	BSS670S2LH6327

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Acciaio:	N-channel	Pacchetto/scatola:	SOT-23-3
Tipo di prodotto:	MOSFET	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Serie:	BSS670S2	Peso unitario:	8 mg
Evidenziare:	Resistore di polarizzazione smd transistor , Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: Infineon
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 55 V
Id - Corrente di drain continua: 540 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 346 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1,2 V
Qg - Carica del gate: 1,7 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 360 mW
Modalità canale: Enhancement
Qualifica: AEC-Q100
Confezione: Bobina
Confezione: Cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 24 ns
Transconduttanza diretta - min: 600 mS
Altezza: 1,1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 25 ns
Serie: BSS670S2
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 21 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 9 ns
Larghezza: 1,3 mm
Alias del numero di parte: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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