BSS670S2L H6327 MOSFET N-канальный 55В 540мА SOT-23-3

Производитель: Infineon
Категория продукта: MOSFET
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SOT-23-3
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 55 В
Id - непрерывный ток стока: 540 мА
Rds(on) - сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 346 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Vgs(th) - пороговое напряжение затвор-исток: 1,2 В
Qg - заряд затвора: 1,7 нКл
Минимальная рабочая температура: -55 C
Максимальная рабочая температура: +150 C
Pd - рассеиваемая мощность: 360 мВт
Режим канала: Улучшенный
Квалификация: AEC-Q100
Упаковка: Катушка
Упаковка: Отрезок ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: Infineon Technologies
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 24 нс
Прямая проводимость (min): 600 мСм
Высота: 1,1 мм
Длина: 2,9 мм
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 25 нс
Серия: BSS670S2
Подкатегория: Транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки закрытия: 21 нс
Типичное время задержки включения: 9 нс
Ширина: 1,3 мм
Альтернативные номера деталей: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Вес единицы: 8 мг

BSS670S2L H6327.pdf