BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Κατασκευαστής: Infineon
Κατηγορία προϊόντος: MOSFET
Τεχνολογία: si
Στυλ εγκατάστασης: SMD/SMT
Πακέτο/κουτί: SOT-23-3
Πολικότητα τρανζίστορ: N-Channel
Αριθμός καναλιών: 1 Channel
Vds - τάση διάσπασης αποστράγγισης-πηγής: 55 V.
Id - συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 540 mA
Rds On - αντίσταση αποστράγγισης-πηγής: 346 mOhms.
Vgs - τάση πύλης-πηγής: - 20 V, +20 V
Vgs th - τάση κατωφλίου πύλης-πηγής: 1.2 v.
Qg - φόρτιση πύλης: 1.7 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150 C.
Pd - απαγωγή ισχύος: 360 mW
Λειτουργία καναλιού: Enhancement
Προσόντα: AEC-Q100
Συσκευασία: Reel
Συσκευασία: cuttape
Ενθυλάκωση: MouseReel
Εμπορικό σήμα: Infineon Technologies
Διάταξη: Single
Χρόνος καθόδου: 24 ns
Forward transconductance-min: 600 mS
Ύψος: 1.1 mm
Μήκος: 2.9 mm
Τύπος προϊόντος: MOSFETs
Χρόνος ανόδου: 25 ns
Σειρά: BSS670S2
Υποκατηγορία: Τρανζίστορ
Τύπος τρανζίστορ: 1 N-Channel
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης κλεισίματος: 21 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 9 ns
Πλάτος: 1.3mm
Εναλλακτικό μέρος αριθμού: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1.
Βάρος μονάδας: 8 mg

BSS670S2L H6327.pdf