BSS670S2L H6327 MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

Datos del producto:

Lugar de origen:	Alemania
Nombre de la marca:	Infineon
Número de modelo:	BSS670S2L H6327

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado:	SMD/SMT SOT-23-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

Contacto Ahora Charle

Descripción detallada del producto

Producto:	MOSFET	Estilo de instalación:	SMD/SMT
Las aves de corral:	N-canal	Paquete/caja:	Sot-23-3
Tipo de producto:	Mosfets	Encapsulación:	Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Serie:	BSS670S2	Peso unitario:	magnesio 8
Resaltar:	Resistor de polarización SMD para transistor , Resistor de polarización SMT para transistor

Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 55 V
Id - Corriente continua de drenaje: 540 mA
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 346 mOhms
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1.2 V
Qg - Carga de puerta: 1.7 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 360 mW
Modo de canal: Mejora
Calificación: AEC-Q100
Paquete: Bobina
Paquete: Tira recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Infineon Technologies
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 24 ns
Transconductancia directa - mín.: 600 mS
Altura: 1.1 mm
Longitud: 2.9 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 25 ns
Serie: BSS670S2
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tiempo de retardo de cierre típico: 21 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 9 ns
Ancho: 1.3 mm
Alias del número de pieza: sp000928950bss67s2lh6327xtbss670s2lh6327xtsa1
Peso unitario: 8 mg

etiqueta:

Persona de Contacto: Hefengxin

Teléfono: +8613652326683

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