FDMC8854 มอสเฟต 30V N-Ch Power Trench มอสเฟต

ผู้ผลิต: onsemi
หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต
เทคโนโลยี: si
รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT
แพ็คเกจ/กล่อง: power-33-8
ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel
จำนวนช่องสัญญาณ: 1 ช่องสัญญาณ
Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 30 V
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง: 15 A
Rds On - ความต้านทาน Drain-source เมื่อเปิด: 5.7 mOhms
Vgs - แรงดันเกท-ซอร์ส: - 20 V, +20 V
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกท-ซอร์ส: 1 V
Qg - ประจุเกท: 41 nC
อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: -55 C
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: +150 C
Pd - การกระจายพลังงาน: 2 W
โหมดช่องสัญญาณ: Enhancement
แพ็คเกจ: Reel
แพ็คเกจ: cuttape
เครื่องหมายการค้า: onsemi/Fairchild
การกำหนดค่า: Single
เวลาลดลง: 5 ns
Forward transconductance - ขั้นต่ำ: 60 S
ความสูง: 0.8 มม.
ความยาว: 3.3 มม.
ประเภทสินค้า: มอสเฟตs
เวลาเพิ่มขึ้น: 5 ns
ซีรีส์: FDMC8854
หมวดหมู่ย่อย: ทรานซิสเตอร์
ประเภททรานซิสเตอร์: 1 N-Channel
เวลาหน่วงการปิดโดยทั่วไป: 31 ns
เวลาหน่วงการเปิดโดยทั่วไป: 13 ns
ความกว้าง: 3.3 มม.
น้ำหนักต่อหน่วย: 165.330 มก.

FDMC8854.pdf