FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: power-33-8
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 30 V
Id - Corriente continua de drenaje: 15 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente en encendido: 5.7 mOhms
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 41 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 2 W
Modo de canal: Mejora
Paquete: Bobina
Paquete: Cinta recortada
Marca comercial: onsemi/Fairchild
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia directa-mín.: 60 S
Altura: 0.8 mm
Longitud: 3.3 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: FDMC8854
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tiempo típico de retardo de cierre: 31 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 13 ns
Ancho: 3.3 mm
Peso unitario: 165.330 mg

FDMC8854.pdf