FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuseausführung: power-33-8
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id - Dauer-Drainstrom: 15 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 5,7 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg - Gate-Ladung: 41 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 2 W
Kanalmodus: Enhancement
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Markenname: onsemi/Fairchild
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 5 ns
Vorwärtstranskonduktanz - min: 60 S
Höhe: 0,8 mm
Länge: 3,3 mm
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: FDMC8854
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Breite: 3,3 mm
Einheitsgewicht: 165,330 mg

FDMC8854.pdf