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제품 소개MOSFET 트랜지스터

FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

제품 상세 정보:
원래 장소: 미국
브랜드 이름: onsemi
모델 번호: FDMC8854
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: USD 0.01-20/piece
포장 세부 사항: SMD/SMT 전원-33-8
배달 시간: 5-8 근무일
지불 조건: 티/티
접촉 지금 챗팅하세요
상세 제품 설명
제품: MOSFET 설치 스타일: smd/smt
패키지/상자: 전력-33-8 기술:
캡슐화: 릴, 컷 테이프, 마우스릴 시리즈: FDMC8854
제품 유형: MOSFETS 단위 중량: 165.330mg
강조하다:

30v mosfet 트랜지스터

,

smd mosfet 트랜지스터

제조사: onsemi
제품 카테고리: MOSFET
기술: si
설치 스타일: SMD/SMT
패키지/케이스: power-33-8
트랜지스터 극성: N-채널
채널 수: 1 채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압: 30 V
Id - 연속 드레인 전류: 15 A
Rds On - 드레인-소스 온 저항: 5.7 mOhms
Vgs - 게이트-소스 전압: -20 V, +20 V
Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 1 V
Qg - 게이트 전하: 41 nC
최소 작동 온도: -55 C
최대 작동 온도: +150 C
Pd - 전력 소모: 2 W
채널 모드: 향상
패키지: 릴
패키지: 컷테이프
상표: onsemi/Fairchild
구성: 단일
하강 시간: 5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 60 S
높이: 0.8 mm
길이: 3.3 mm
제품 유형: MOSFET
상승 시간: 5 ns
시리즈: FDMC8854
하위 카테고리: 트랜지스터
트랜지스터 유형: 1 N-채널
일반적인 닫힘 지연 시간: 31 ns
일반적인 턴온 지연 시간: 13 ns
너비: 3.3mm
단위 중량: 165.330mg

FDMC8854.pdf

연락처 세부 사항
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담당자: Hefengxin

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