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FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

商品の詳細:
起源の場所: 米国
ブランド名: onsemi
モデル番号: FDMC8854
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMTパワー-33-8
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: パワー33-8 テクノロジー: si
カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール シリーズ: FDMC8854
製品タイプ: モスフェット 単重: 165.330mg
ハイライト:

30V MOSFETトランジスタ

,

SMD MOSFETトランジスタ

メーカー:onsemi
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー:si
実装タイプ:SMD/SMT
パッケージ/ケース:power-33-8
トランジスタ極性:Nチャネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧:30 V
Id - 連続ドレイン電流:15 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗:5.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧:1 V
Qg - ゲート電荷:41 nC
最小動作温度:-55 C
最大動作温度:+150 C
Pd - 消費電力:2 W
チャンネルモード:エンハンスメント
パッケージ:リール
パッケージ:カットテープ
商標:onsemi/Fairchild
構成:シングル
降下時間:5 ns
順方向トランスコンダクタンス-最小:60 S
高さ:0.8 mm
長さ:3.3 mm
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:5 ns
シリーズ:FDMC8854
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ:1 Nチャネル
標準ターンオフ遅延時間:31 ns
標準ターンオン遅延時間:13 ns
幅:3.3 mm
単位重量:165.330 mg

FDMC8854.pdf

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