FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Producent: onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Pakiet/obudowa: power-33-8
Polaryzacja tranzystora: N-kanałowy
Liczba kanałów: 1 kanał
Vds - napięcie przebicia dren-źródło: 30 V
Id - ciągły prąd drenu: 15 A
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 5.7 mOhm
Vgs - napięcie bramka-źródło: -20 V, +20 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 1 V
Qg - ładunek bramki: 41 nC
Minimalna temperatura pracy: -55 C
Maksymalna temperatura pracy: +150 C
Pd - rozpraszanie mocy: 2 W
Tryb kanału: Wzmocnienie
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Znak towarowy: onsemi/Fairchild
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas narastania: 5 ns
Transkonduktancja w przód - min.: 60 S
Wysokość: 0.8 mm
Długość: 3.3 mm
Typ produktu: MOSFETy
Czas narastania: 5 ns
Seria: FDMC8854
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 1 N-kanałowy
Typowy czas opóźnienia wyłączania: 31 ns
Typowy czas opóźnienia włączania: 13 ns
Szerokość: 3.3 mm
Waga jednostkowa: 165.330 mg

FDMC8854.pdf