FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: power-33-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 30 V
Id - Corrente contínua de dreno: 15 A
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 5.7 mOhms
Vgs - Tensão porta-fonte: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar porta-fonte: 1 V
Qg - Carga da porta: 41 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo do canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Marca registrada: onsemi/Fairchild
Configuração: Único
Tempo de descida: 5 ns
Transcondutância direta - min: 60 S
Altura: 0.8 mm
Comprimento: 3.3 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 5 ns
Série: FDMC8854
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo típico de atraso de fechamento: 31 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 13 ns
Largura: 3.3 mm
Peso unitário: 165.330 mg

FDMC8854.pdf