FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : power-33-8
Polarité du transistor : N-Channel
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 15 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 5,7 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 41 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 2 W
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Bande coupée
Marque : onsemi/Fairchild
Configuration : Simple
Temps de descente : 5 ns
Transconductance directe - min : 60 S
Hauteur : 0,8 mm
Longueur : 3,3 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 5 ns
Série : FDMC8854
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 N-Channel
Temps de retard de fermeture typique : 31 ns
Temps de retard d'activation typique : 13 ns
Largeur : 3,3 mm
Poids unitaire : 165,330 mg

FDMC8854.pdf