FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Package/box: power-33-8
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 30 V
Id - Corrente di drain continua: 15 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 5.7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V
Qg - Carica del gate: 41 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 2 W
Modalità canale: Enhancement
Package: Reel
Package: cuttape
Marchio: onsemi/Fairchild
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 5 ns
Transconduttanza diretta-min: 60 S
Altezza: 0.8 mm
Lunghezza: 3.3 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 5 ns
Serie: FDMC8854
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 31 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 13 ns
Larghezza: 3.3 mm
Peso unitario: 165.330 mg

FDMC8854.pdf