2SA1162-GR,LF Transistor a giunzione bipolare Pnp 50V 80MHz 150MW

Dettagli:

Luogo di origine:	GIAPPONE
Marca:	Toshiba
Numero di modello:	2SA1162-GR, SE

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SC-59-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SC-59-3	Serie:	2SA1162
Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Tipo di prodotto:	BJT - Transistor bipolari
Peso unitario:	8 mg
Evidenziare:	2SA1162-GR LF Transistor a giunzione bipolare Pnp , 50V 2SA1162-GR LF , Transistor a giunzione bipolare Pnp 50V

Produttore: Toshiba
Categoria prodotto: transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SC-59-3
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 150 mA
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 50 V
Tensione collettore-base VCBO: 50 V
Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 100 mV
Pd - dissipazione di potenza: 150 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 80 MHz
Temperatura massima di esercizio: +125c
Qualifica: AEC-Q101
Serie: 2SA1162
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Toshiba
Guadagno CC collettore/base hfemin: 70
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 400
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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