| Plaats van herkomst: | JAPAN |
| Merknaam: | Toshiba |
| Modelnummer: | 2SA1162-GR., ALS |
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | USD 0.01-20/piece |
| Verpakking Details: | SMD/SMT-SC-59-3 |
| Levertijd: | 5-8 werkdagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Product: | Bipolaire transistor-bipolaire junctie-transistor (BJT) | Installatiestijl: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| Pakket/doos: | Sc-59-3 | Serie: | 2SA1162 |
| Inkapseling: | Spoel, snijtape, muisspoel | Producttype: | BJT's - Bipolaire transistors |
| Eenheidsgewicht: | 8 mg | ||
| Markeren: | 2SA1162-GR LF Pnp Bipolaire Junctie Transistor,50V 2SA1162-GR LF,50V Pnp Bipolaire Junctie Transistor |
||
Fabrikant: Toshiba
Productcategorie: bipolaire transistor-bipolaire junctietransistor (BJT)
Technologie: si
Installatiestijl: SMD/SMT
Verpakking/doos: SC-59-3
Transistorpolariteit: PNP
Configuratie: Enkel
Maximale gelijkstroom collectorstroom: 150 mA
Maximale collector-emitterspanning VCEO: 50 V
Collector-basisspanning VCBO: 50 V
Emitter-basisspanning VEBO: 5 V
Collector-emitterverzadigingsspanning: 100 mV
Pd - vermogensverlies: 150 mW
Gain-bandbreedteproduct fT: 80 MHz
Maximale bedrijfstemperatuur: +125c
Kwalificatie: AEC-Q101
Serie: 2SA1162
Verpakking: Reel
Verpakking: cuttape
Omkapseling: MouseReel
Handelsmerk: Toshiba
Dc collector/basisversterking hfemin: 70
Maximale gelijkstroomversterking hFE: 400
Producttype: BJTs-Bipolaire Transistors
Subcategorie: Transistors
Eenheidsgewicht: 8 mg
Contactpersoon: Hefengxin
Tel.: +8613652326683