2SA1162-GR,LF Transistor à jonction bipolaire Pnp 50V 80MHz 150MW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	JAPON
Nom de marque:	Toshiba
Numéro de modèle:	2SA1162-GR, SI

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SC-59-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SC-59-3	Série:	2SA1162
Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris	Type de produit:	BJT - Transistors bipolaires
Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	2SA1162-GR LF Transistor à jonction bipolaire Pnp , 50V 2SA1162-GR LF , Transistor à jonction bipolaire Pnp 50V

Fabricant: Toshiba
Catégorie de produit: transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie: si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/emballage: SC-59-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Simple
Courant de collecteur continu maximum: 150 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO: 50 V
Tension collecteur-base VCBO: 50 V
Tension émetteur-base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 100 mV
Pd - dissipation de puissance: 150 mW
Produit gain-bande passante fT: 80 MHz
Température de fonctionnement maximale: +125°C
Qualification: AEC-Q101
Série: 2SA1162
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe de bande
Conditionnement: MouseReel
Marque: Toshiba
Gain courant continu collecteur/base hfemin: 70
Gain en courant continu maximum hFE: 400
Type de produit: BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie: Transistors
Poids unitaire: 8 mg

Produit Tag:

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Téléphone: +8613652326683

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