DSS20201L-7 Transistor bipolaire NPN SMT Installation 20V BJT NPN Transistor

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	DSS20201L-7

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	SMD / SMT
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SOT-23-3	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	BJT - Transistors bipolaires	Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	DSS20201L-7 Transistor bipolaire NPN , DSS20201L-7 Transistor BJT NPN , Transistor bipolaire NPN 20V

Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 2 A
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 20 V
Tension collecteur-base VCBO : 20 V
Tension base-émetteur VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 100 mV
Pd - dissipation de puissance : 600 mW
Produit gain-bande passante ft : 150 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : DSS202
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Gain courant continu collecteur/base hfemin : 200 à 2 A, 2 V
Gain en courant continu maximal hFE : 200 à 10 mA, 2 V
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,3 mm
Poids unitaire : 8 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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